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CVD等离子射频化学气相沉积设备

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商品信息

基本参数

  • 产地江苏
  • 品牌
  • 产品型号
  • 产品操作
  • 产品应用范围
  • 产品材料等级
  • 产品表面处理
  • 品牌KOG
  • 型号PECVD
  • 工艺用途其他
  • 传热方式其他
  • 炉内气氛真空气氛
  • 热工制度连续式炉
  • 炉型结构管式炉
  • 输送形式其他
  • 控制形式工艺过程控制炉
  • 主要用途工业电炉
  • 产品认证CE
  • 最大电压220V
  • 提供加工定制
  • 功率2000W

产品简介:

产品详情:设备介绍:该设备用到射频将涵盖薄膜组成原子的气体电离,从而局部形成等离子体。等离子体具很强的化学活性,容易反应以在基板上沉积所需的膜。为了使化学反应能够在较低的温度下展开,等离子体的活性用以推动反应,因此nz@称之为等离子加强CVD(化学气相沉积)。 产品简介:该设备配有Plasma以实现等离子体加强。滑轨设计可以将试验所需的恒定高温直接推到运行过程中的样品上,从而使样品得到较快的升温速率,还可以提高高温。将管式炉直接推离样品,使样品直接暴露于室温环境中,可获得迅速的冷却速度,还可以装设氛围微调设备,可以可靠操纵反应室内的气压。百分比调节阀对于低压CVD十分简便实用,过程可重复性好。十分合适石墨烯发育过程。它也适用于需迅速上升和下降温度的CVD实验。 主要组成及特征: 该设备主要由管式加热炉炉体,真空系统,质子流供气系统,射频等离子体源,石英反应腔室等组成。 主要特点: 1.通过射频电源将石英真空室内的气体变成离子状况。 2.PECVD需比一般而言CVD更低的温度。 3.沉积膜的应力可以通过射频电源的频率来操纵。 4.PECVD比一般而言的CVD更高,执行化学气相沉积的速度更快,更均匀,一致性和稳定性更高。 5.普遍用以各种薄膜的生长,例如:SiOx,SiNx,SiOxNy和无定型硅(a-Si:h)等。